TPS22910A、TPS22912C 和 TPS22913B/C 均為具有受控接通功能的小型、低 rON 負(fù)載開(kāi)關(guān)。此器件包括一個(gè) P 通道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)，可在 1.4V 至 5.5V 的輸入電壓范圍內(nèi)運(yùn)行。此開(kāi)關(guān)由一個(gè)開(kāi)/關(guān)輸入 (ON) 控制，該輸入能夠與低壓通用輸入輸出 (GPIO) 控制信號(hào)直接對(duì)接。

TPS22910A、TPS22912C 和 TPS22913B/C 器件在接通和關(guān)斷狀態(tài)下均能提供反向電流保護(hù)。當(dāng)輸出電壓（V輸出）被 VRCP 驅(qū)動(dòng)至高于輸入電壓（V輸入）時(shí)，內(nèi)部反向電壓比較器將禁用此電源開(kāi)關(guān)以快速（典型值為 10μs）停止流向此開(kāi)關(guān)輸入端的電流。反向電流保護(hù)一直有效，即便當(dāng)電源開(kāi)關(guān)被禁用時(shí)也是如此。此外，如果此輸入電壓過(guò)低，欠壓閉鎖 (UVLO) 保護(hù)會(huì)將此開(kāi)關(guān)關(guān)閉。

TPS22913B/C 包含一個(gè) 150Ω 片上負(fù)載電阻器，用于在此開(kāi)關(guān)被關(guān)閉時(shí)進(jìn)行快速輸出放電。

此系列器件提供了多種轉(zhuǎn)換率選項(xiàng)以避免浪涌電流問(wèn)題（詳細(xì)信息請(qǐng)參見(jiàn)），并且采用超小型、節(jié)省空間的 4 引腳晶圓級(jí)芯片規(guī)模封裝 (WCSP) 封裝，自然通風(fēng)環(huán)境下的額定運(yùn)行溫度范圍為 –40°C 至 85°C。