這些功率MOSFET采用意法半導體獨特的STripFET工藝開發(fā)，該工藝專為最小化輸入電容和柵極電荷而設計這使得該器件適合作為初級開關(guān)在先進的高效率隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器的電信和計算機應用，以及低柵極電荷驅(qū)動要求的應用。

Mouser編號：511-STB120NF10

制造商編號：STB120NF10T4

制造商：STMicroelectronics

說明：MOSFET N-Ch 100 Volt 120Amp

制造商: STMicroelectronics  

產(chǎn)品種類: MOSFET  

 技術(shù): Si  

安裝風格: SMD/SMT  

封裝 / 箱體: D2PAK-3  

晶體管極性: N-Channel  

通道數(shù)量: 1 Channel  

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V  

Id-連續(xù)漏極電流: 110 A  

Rds On-漏源導通電阻: 10.5 mOhms  

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V  

Qg-柵極電荷: 172 nC  

最小工作溫度: - 55 C  

最大工作溫度: + 175 C  

Pd-功率耗散: 312 W  

通道模式: Enhancement  

封裝: Reel  

封裝: Cut Tape  

封裝: MouseReel  

商標: STMicroelectronics  

配置: Single  

下降時間: 68 ns  

高度: 4.6 mm  

長度: 10.4 mm  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 90 ns  

系列: STB120NF10  

工廠包裝數(shù)量: 1000  

子類別: MOSFETs  

晶體管類型: 1 N-Channel Power MOSFET  

類型: MOSFET  

典型關(guān)閉延遲時間: 132 ns  

典型接通延遲時間: 25 ns  

寬度: 9.35 mm  

單位重量: 4 g 

特征：
卓越的dv/dt能力
100%雪崩測試
面向應用的表征