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VISHAY威世SI2301CDS-T1-GE3型號(hào)是一款MOS管

信息來源 : 網(wǎng)絡(luò) | 發(fā)布時(shí)間 : 2022-09-15 10:40 | 瀏覽次數(shù) : 842

Mouser編號(hào):781-SI2301CDS-T1-GE3

制造商編號(hào):SI2301CDS-T1-GE3

制造商:Vishay Semiconductors

說明:MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23

制造商: Vishay  

產(chǎn)品種類: MOSFET  

技術(shù): Si  

安裝風(fēng)格: SMD/SMT  

封裝 / 箱體: SOT-23-3  

晶體管極性: P-Channel  

通道數(shù)量: 1 Channel  

Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V  

Id-連續(xù)漏極電流: 3.1 A  

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 112 mOhms  

Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V  

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V  

Qg-柵極電荷: 3.3 nC  

最小工作溫度: - 55 C  

最大工作溫度: + 150 C  

Pd-功率耗散: 1.6 W  

通道模式: Enhancement  

商標(biāo)名: TrenchFET  

封裝: Reel  

封裝: Cut Tape  

封裝: MouseReel  

商標(biāo): Vishay Semiconductors  

配置: Single  

下降時(shí)間: 10 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 35 ns  

系列: SI2  

工廠包裝數(shù)量: 3000  

子類別: MOSFETs  

晶體管類型: 1 P-Channel  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 30 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 11 ns  

零件號(hào)別名: SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-GE3  

單位重量: 8 mg 


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