基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出其電平轉(zhuǎn)換器系列的新晉產(chǎn)品：NXT4557GU 和 NXT4556UP。

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出其電平轉(zhuǎn)換器系列的新晉產(chǎn)品：NXT4557GU 和 NXT4556UP。新器件可實(shí)現(xiàn)下一代低壓手機(jī)基帶處理器與用戶身份模塊（SIM）卡的無縫連接。隨著處理器的幾何尺寸向個(gè)位數(shù)納米節(jié)點(diǎn)發(fā)展，先進(jìn) SOC 的核心電壓也正逐漸下降。此發(fā)展趨勢導(dǎo)致對電壓轉(zhuǎn)換器的需求日益增加，以將 SOC 連接到其他標(biāo)準(zhǔn)處理設(shè)備和 I/O 端口（如傳統(tǒng)的Class B和Class C SIM卡）。

NXT4557GU 和 NXT4556UP 是雙電源轉(zhuǎn)換器，支持主機(jī)處理器側(cè) 1.08 V 至 1.98 V 電壓等級，SIM 卡側(cè) 1.62 V 至 3.6 V 電壓等級。以上工作范圍讓這兩款器件能夠適配傳統(tǒng)的 Class B（3.0 V ± 10%）和Class C（1.8 V ± 10%）的電壓等級，同時(shí)還能保持與未來SIM卡接口標(biāo)準(zhǔn)的電壓等級（1.2 V±10%）相兼容。

NXT4557GU 和 NXT4556UP 均具備雙向 IO、單向復(fù)位和時(shí)鐘通道功能，同時(shí)其智能 ONE SHOT 電路可實(shí)現(xiàn)超低通道傳播延遲。兩款器件的低工作電流（8μA）和待機(jī)電流（僅為1μA）有助于盡可能延長手機(jī)電池的續(xù)航時(shí)間。集成的上拉電阻有益于進(jìn)一步降低待機(jī)模式的功耗，同時(shí)也可降低整體系統(tǒng)BOM成本并節(jié)省空間。NXT4557GU 采用一個(gè)使能（EN）引腳，并使用無引腳 XQFN10 封裝，而 NXT4556UP 為自動(dòng)使能，并采用 0.35mm 間距的超小 WLCSP9 封裝。

Nexperia 高級產(chǎn)品經(jīng)理 Vikram Singh Parihar 表示：

如果發(fā)生系統(tǒng)崩潰或意外拆除電池，SIM 卡上的電源會(huì)迅速對地放電，阻止接口器件執(zhí)行關(guān)機(jī)程序。Nexperia 的 NXT4557GU 和 NXT4556UP 通過有序關(guān)閉信號(hào)來處理意外關(guān)機(jī)情況，幫助避免任何不當(dāng)寫入和數(shù)據(jù)損壞。