描述

這些器件是用意法半導(dǎo)體獨(dú)特的STripFETTM工藝實現(xiàn)的n通道功率MOSFET，專門設(shè)計以最小化通阻。

因此，它適用于電信和計算機(jī)應(yīng)用的高級高效、高頻隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器的主開關(guān)。

它也適用于任何門驅(qū)動要求較低的應(yīng)用程序。

參數(shù)

Mouser編號：511-STP120NF10

制造商編號：STP120NF10

制造商：STMicroelectronics

說明：MOSFET N-Ch 100 Volt 120A STripFET II 110A

造商: STMicroelectronics  

產(chǎn)品種類: MOSFET  

技術(shù): Si  

安裝風(fēng)格: Through Hole  

封裝 / 箱體: TO-220-3  

晶體管極性: N-Channel  

通道數(shù)量: 1 Channel  

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V  

Id-連續(xù)漏極電流: 120 A  

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 10.5 mOhms  

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V  

Qg-柵極電荷: 233 nC  

最小工作溫度: - 55 C  

最大工作溫度: + 175 C  

Pd-功率耗散: 312 W  

通道模式: Enhancement  

商標(biāo)名: STripFET  

封裝: Tube  

商標(biāo): STMicroelectronics  

配置: Single  

下降時間: 68 ns  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 90 S  

高度: 9.15 mm  

長度: 10.4 mm  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 90 ns  

系列: STP120NF10  

工廠包裝數(shù)量: 1000  

子類別: MOSFETs  

晶體管類型: 1 N-Channel  

類型: MOSFET  

典型關(guān)閉延遲時間: 132 ns  

典型接通延遲時間: 25 ns  

寬度: 4.6 mm  

單位重量: 2 g 

特性

特殊的dv/dt能力

100%雪崩測試

面向應(yīng)用的表征

應(yīng)用程序

切換應(yīng)用程序