一般描述

STB120NF10T4功率MOSFET制作一個(gè)有效的普通柵放大器。其最大功耗為312000 mW。膠帶和卷軸包裝將在運(yùn)輸過程中包裝產(chǎn)品，確保安全交付，并使組件能夠快速安裝。

這種MOSFET晶體管的最低工作溫度為-55°C和最高175°C。這個(gè)N通道MOSFET晶體管工作在增強(qiáng)模式。mon門放大器使用STB120NF10T4功率MOSFET來自STMicroelectronics。

其最大功耗為312000 mW。膠帶和卷軸包裝將在運(yùn)輸過程中包裝產(chǎn)品，確保安全交付，并使組件能夠快速安裝。

這種MOSFET晶體管的最低工作溫度為-55°C和最高175°C。這個(gè)N通道MOSFET晶體管工作在增強(qiáng)模式。

這些器件是用意法半導(dǎo)體獨(dú)特的STripFETTM工藝實(shí)現(xiàn)的n通道功率MOSFET，專門設(shè)計(jì)以最小化通阻。因此，它適用于電信和計(jì)算機(jī)應(yīng)用的高級高效、高頻隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器的主開關(guān)。

參數(shù)

Mouser編號：511-STB120NF10

制造商編號：STB120NF10T4

制造商：STMicroelectronics

說明：MOSFET N-Ch 100 Volt 120Amp

制造商: STMicroelectronics  

產(chǎn)品種類: MOSFET 

技術(shù): Si  

安裝風(fēng)格: SMD/SMT  

封裝 / 箱體: D2PAK-3  

晶體管極性: N-Channel  

通道數(shù)量: 1 Channel  

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V  

Id-連續(xù)漏極電流: 110 A  

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 10.5 mOhms  

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V  

Qg-柵極電荷: 172 nC  

最小工作溫度: - 55 C  

最大工作溫度: + 175 C  

Pd-功率耗散: 312 W  

通道模式: Enhancement  

封裝: Reel  

封裝: Cut Tape  

封裝: MouseReel  

商標(biāo): STMicroelectronics  

配置: Single  

下降時(shí)間: 68 ns  

高度: 4.6 mm  

長度: 10.4 mm  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 90 ns  

系列: STB120NF10  

工廠包裝數(shù)量: 1000  

子類別: MOSFETs  

晶體管類型: 1 N-Channel Power MOSFET  

類型: MOSFET  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 132 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 25 ns  

寬度: 9.35 mm  

單位重量: 4 g 

特點(diǎn)

1.優(yōu)異的dv/dt能力

2.100%雪崩測試

3.面向應(yīng)用的表征

4.適用于任何門驅(qū)動(dòng)

5.要求較低的應(yīng)用程序