一般描述：

這些功率MOSFET采用意法半導(dǎo)體獨(dú)特的STripFET工藝開發(fā)而成，該工藝專為最小化輸入電容和柵極電荷而設(shè)計。

這使得該器件適合用作先進(jìn)的高效率隔離DCDC轉(zhuǎn)換器的初級開關(guān)，用于電信和計算機(jī)應(yīng)用，以及低柵極電荷驅(qū)動要求的應(yīng)用。

參數(shù)

Mouser編號：511-STP120NF10

制造商編號：STP120NF10

制造商：STMicroelectronics

說明：MOSFET N-Ch 100 Volt 120A STripFET II 110A

制造商: STMicroelectronics  

產(chǎn)品種類: MOSFET 

技術(shù): Si  

安裝風(fēng)格: Through Hole  

封裝 / 箱體: TO-220-3  

晶體管極性: N-Channel  

通道數(shù)量: 1 Channel  

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V  

Id-連續(xù)漏極電流: 120 A  

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 10.5 mOhms  

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V  

Qg-柵極電荷: 233 nC  

最小工作溫度: - 55 C  

最大工作溫度: + 175 C  

Pd-功率耗散: 312 W  

通道模式: Enhancement  

商標(biāo)名: STripFET  

系列: STP120NF10  

封裝: Tube  

商標(biāo): STMicroelectronics  

配置: Single  

下降時間: 68 ns  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 90 S  

高度: 9.15 mm  

長度: 10.4 mm  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 90 ns  

工廠包裝數(shù)量: 1000  

子類別: MOSFETs  

晶體管類型: 1 N-Channel  

類型: MOSFET  

典型關(guān)閉延遲時間: 132 ns  

典型接通延遲時間: 25 ns  

寬度: 4.6 mm  

單位重量: 2 g 

特性

• 卓越的DV/dt能力

• 100%%雪崩測試

• 低柵電荷

應(yīng)用

• 交換應(yīng)用