一般描述：

  這款單P溝道MOSFET采用飛兆舉導(dǎo)體先進(jìn)的功率溝槽工藝設(shè)計(jì)，以優(yōu)化Ros (oN) @Vas=-2.5V

參數(shù)

Mouser編號(hào)：512-FDY101PZ

制造商編號(hào)：FDY101PZ

制造商：onsemi / Fairchild

說明：MOSFET -20VSgl P-Ch -2.5V Spec PwrTrch MOSFET

制造商: onsemi  

產(chǎn)品種類: MOSFET 

技術(shù): Si  

安裝風(fēng)格: SMD/SMT  

封裝 / 箱體: SOT-523-3  

晶體管極性: P-Channel  

通道數(shù)量: 1 Channel  

Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V  

Id-連續(xù)漏極電流: 150 mA  

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 8 Ohms  

Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V  

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.5 V  

Qg-柵極電荷: 1.4 nC  

最小工作溫度: - 55 C  

最大工作溫度: + 150 C  

Pd-功率耗散: 630 mW  

通道模式: Enhancement  

商標(biāo)名: PowerTrench  

系列: FDY101PZ  

封裝: Reel  

封裝: Cut Tape  

封裝: MouseReel  

商標(biāo): onsemi / Fairchild  

配置: Single  

下降時(shí)間: 13 ns  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 0.7 S  

高度: 0.78 mm  

長度: 1.6 mm  

產(chǎn)品: MOSFET Small Signal  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 13 ns  

工廠包裝數(shù)量: 3000  

子類別: MOSFETs  

晶體管類型: 1 P-Channel  

類型: MOSFET  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 8 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 6 ns  

寬度: 0.88 mm  

單位重量: 2 mg  

特性

• -150mA，20VRs(ON)-8-VGS=45V ROS(ON)=12-@VS--2.5V

• ·靜電放電保護(hù)二極管《注3)

• 灣合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用

• 鋰電池組