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BSC010N04LSATMA1通過在待機(jī)和全功率運(yùn)行時(shí)均實(shí)現(xiàn)高功率密度和能效提供高標(biāo)準(zhǔn)解決方案

信息來源 : 網(wǎng)絡(luò) | 發(fā)布時(shí)間 : 2023-05-12 17:06 | 瀏覽次數(shù) : 854

一般描述:


英飛凌OptiMOS? 5 25V和30V功率MOSFET通過在待機(jī)和全功率運(yùn)行時(shí)均實(shí)現(xiàn)高功率密度和能效,提供高標(biāo)準(zhǔn)解決方案。這些MOSFET采用硅技術(shù),經(jīng)優(yōu)化可滿足并超過能效和功率密度要求。


這些MOSFET基于DC/DC應(yīng)用中更嚴(yán)格的下一代電壓調(diào)節(jié)標(biāo)準(zhǔn)。OptiMOS? 5系列產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)行業(yè)的電壓調(diào)節(jié),包括服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信和客戶端應(yīng)用,同時(shí)專注于Intel的VR和IMVP平臺(tái)。



參數(shù)

Mouser編號(hào):726-BSC010N04LSATMA1

制造商編號(hào):BSC010N04LSATMA1

制造商:Infineon Technologies

說明:MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

制造商: Infineon  

產(chǎn)品種類: MOSFET 

技術(shù): Si  

安裝風(fēng)格: SMD/SMT  

封裝 / 箱體: TDSON-8  

晶體管極性: N-Channel  

通道數(shù)量: 1 Channel  

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V  

Id-連續(xù)漏極電流: 100 A  

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1 mOhms  

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V  

Qg-柵極電荷: 133 nC  

最小工作溫度: - 55 C  

最大工作溫度: + 150 C  

Pd-功率耗散: 139 W  

通道模式: Enhancement  

商標(biāo)名: OptiMOS  

系列: OptiMOS 5  

封裝: Reel  

封裝: Cut Tape  

封裝: MouseReel  

商標(biāo): Infineon Technologies  

配置: Single  

下降時(shí)間: 9 ns  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 140 S  

高度: 1.27 mm  

長度: 5.9 mm  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 12 ns  

工廠包裝數(shù)量: 5000  

子類別: MOSFETs  

晶體管類型: 1 N-Channel  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 46 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 10 ns  

寬度: 5.15 mm  

零件號(hào)別名: BSC010N04LS SP000928282  

單位重量: 100 mg 

特性

  • 出色的導(dǎo)通電阻

  • 符合標(biāo)準(zhǔn)的開關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qgd

  • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)且無鹵素

  • 經(jīng)過優(yōu)化的EMI表現(xiàn)( 集成的阻尼網(wǎng)絡(luò))

  • 高效率

  • 采用S3O8或Power Block模塊封裝的高功率密度

  • 降低了總體系統(tǒng)成本

  • 在高開關(guān)頻率下運(yùn)行

應(yīng)用

  • 臺(tái)式機(jī)和服務(wù)器r

  • 單相和多相PoL

  • 筆記本電腦中的CPU/GPU電壓調(diào)節(jié)

  • 高功率密度電壓調(diào)節(jié)器

  • O形環(huán)

  • 電子保險(xiǎn)絲

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