一般描述：
英飛凌CoolMOSN溝道功率MOSFET樹立了高性能和高能效的標準。英飛凌OptiMOS低壓MOSFET系列在20V至250V的電壓范圍內(nèi)具有業(yè)界最低的導通電阻和最佳的開關性能。
新的OptiMOS 25V和30V產(chǎn)品系列為分立功率MOSFET的功率密度和能效設定了新的標準。這些器件針對特定應用進行了優(yōu)化，適用于服務器、筆記本電腦、電信/數(shù)據(jù)通信交換機等的電源。
革命性的英飛凌CoolMOS功率系列樹立了能效新標準，是高壓MOSFET的技術(shù)領導者。CoolMOS可顯著降低導通和開關損耗，實現(xiàn)高功率密度和效率，從而實現(xiàn)卓越的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
冷卻MOSC6 / E6功率MOSFET將最先進的超結(jié)器件的優(yōu)勢與傳統(tǒng)功率半導體的優(yōu)勢相結(jié)合。
英飛凌科技CoolMOS功率晶體管采用革命性的CoolMOS適用于高壓功率MOSFET的技術(shù)，根據(jù)超結(jié)（SJ）原理設計，由英飛凌科技公司首創(chuàng)。
CoolMOSC6和E6功率晶體管系列結(jié)合了領先的SJ MOSFET供應商的經(jīng)驗和一流的創(chuàng)新。由此產(chǎn)生的器件提供了一個快速開關SJ MOSFET的所有好處，同時不犧牲易用性。
極低的開關損耗和導通損耗使開關應用更高效、更緊湊、更輕、更酷。
參數(shù)
Mouser編號：726-BSC600N25NS3GXT
制造商編號：BSC600N25NS3G
制造商：Infineon Technologies
說明：MOSFET N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 250 V
Id-連續(xù)漏極電流: 25 A
Rds On-漏源導通電阻: 50 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 29 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
商標名: OptiMOS
系列: OptiMOS 3
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 8 ns
正向跨導 - 最小值: 25 S
高度: 1.27 mm
長度: 5.9 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 10 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: OptiMOS 3 Power-Transistor
典型關閉延遲時間: 22 ns
典型接通延遲時間: 10 ns
寬度: 5.15 mm
零件號別名: SP000676402 BSC6N25NS3GXT BSC600N25NS3GATMA1
單位重量: 100 mg
特性
N溝道，正常電平
優(yōu)異的標極電荷x Rosion產(chǎn)品(FOM)
極低導通電阻Ros《on)
無船鉛電鍍;符合ROHS標難
根據(jù)JEDEC認證的日標應用程序
根據(jù)IEC61249-2-21不含肉素
高頻開關和同步整流的理想選擇
